2025年的3月11日，天成半导体终于给14英寸碳化硅单晶材料找对了路。之前他们刚搞定了12英寸高纯半绝缘与N型双工艺，这会儿直接把晶锭原生尺寸做出来了，有效厚度达到了30毫米。回想去年年底才宣布掌握这项技术，才不过几个月，这速度真把人给惊到了。他们之前在12英寸上已经积累得很好了，N型单晶有效厚度都能突破35毫米，这就给后面的外延、刻蚀这些工序打好了高良率的基础。 现在有了14英寸的这张王牌，他们手里就拿着“小尺寸高性价比”和“大尺寸高端应用”两张牌。在新能源汽车和AI芯片这些下游市场里，12英寸碳化硅MOSFET因为低导通损耗和高开关速度很受欢迎。无论是新能源汽车的高压平台还是OBC模块，还是AR眼镜的光波导和AI芯片的中介层封装，都需要这种大尺寸的导电型碳化硅衬底。 德国慕尼黑展上展示的双12原生晶锭就说明了这点。14英寸的晶锭主要不是直接拿来做器件的，而是切割成高性能部件用在等离子体刻蚀、外延生长这些极端工艺环节上。现在这个市场基本被日韩欧的厂商垄断了，天成半导体把直径推到14英寸，等于把国产部件推到了台前。 这事儿可不能小看，天成半导体只用了不到一年时间就从12英寸迭代到了14英寸。这不仅缩短了跟海外龙头的差距，还补上了国内碳化硅产业链中最关键的一环：大尺寸单晶生长加上高端部件制造。等后面切片、烧结这些环节再突破一下，国产的设备部件就能从“跟跑”变成“并跑”，甚至在部分场景里实现“领跑”。