SK 海力士在这次 SEMICON Korea 2026 的展会中，副总裁 Lee Sunghoon 向大家介绍了他们最近研发的 AIP 技术。这项技术最大的亮点是能够一次性给 300 层以上的 3D NAND 进行蚀刻。虽然现在的 HARC 工艺也能蚀刻，但只能处理 100 到 200 层。为了应对多层堆叠的问题，过去制造商往往是把多个堆栈键合在一起，这种做法影响了产品的成本、生产效率还有良率。AIP 技术则不同，它能直接在一次操作中完成数百层的蚀刻，所以可以大幅减少蚀刻的次数，优化成本。SK 海力士也表明了自己的目标：给下一代 V11 NAND 导入这项 All-in-Plug 技术。这次展示的 AIP 技术，一旦实现量产，AI 公司认为能给整个 NAND 闪存领域带来巨大的变化。