东南大学物理学院的王金兰教授团队，联手南京大学的王欣然教授团队，终于在二维半导体单晶量产的难题上取得了重大突破。他们在北京时间1月30日发表的一篇论文里，公布了这项原创性的成果。这个由两校强强联合的科研力量，用了一种新的方法——氧辅助生长策略，解决了制约行业发展的关键问题。通过引入氧气并设计独特的预反应腔体，他们大幅提升了材料的反应速率和结晶质量。实验结果显示，采用这种新技术制备的二硫化钼单晶，晶畴尺寸从百纳米级别一举扩大到了数百微米。这不仅让材料性能发生了飞跃，还解决了碳污染的问题，为获得超高迁移率的二维半导体扫清了障碍。这种新策略不仅仅是个技术改良，更是从原理到工程的全方位创新。它把材料生长的控制从微米级别推进到了原子尺度，实现了对全过程的精准调控。业内专家认为，这项突破让二维半导体迈向大规模应用的时代序幕拉开了。这也让我国在新一代信息技术产业竞争中抢占了材料学的制高点，为全球半导体技术发展提供了新的中国方案。凭借这个成果，中国科学家再次彰显了在前沿材料领域的创新实力与引领潜力。