阿斯麦最近搞了个大新闻，他们把EUV光源的功率从600瓦提升到了1000瓦，这下子2030年的芯片产量估计得暴涨。 ASML说他们的技术大牛迈克尔·珀维斯带领团队，在生产环境里验证了这套系统，能给客户稳当地输出千瓦级的光线。这主要是通过给光刻机里最复杂的锡滴发生器动了手脚，以前是单次激光脉冲加热锡滴，现在改成每秒发射10万次锡滴，还用两次小型激光脉冲塑形。这招让等离子体生成的效率大大提高。 这个技术还挺有技术含量，得把激光、等离子体物理和材料科学凑一块儿用。NXE系列光刻机的高管滕·梵高也透露了，升级后的机器每小时能处理的晶圆数量从220片变成了330片。举个例子，一个12英寸的晶圆能出几百到几千颗芯片。 按照这个说法，工厂的产能一下子就提高了50%，成本也降下来了。阿斯麦这下在技术竞争上又领先了一大截。珀维斯还说：“千瓦级的系统证明了路子走得通，我们已经看到1500瓦的路线图了，想破2000瓦在理论上也没多大障碍。” 这背后可是跨学科的通力合作。研究人员把激光脉冲的顺序和锡滴的运动轨迹都优化了一遍，解决了纳米级的能量传输难题。这种系统级的创新不光提升了设备性能，还为以后更先进的制程打下了基础。