SK 海力士在 SEMICON Korea 2026 会上分享了他们在 AIP 技术上的进展，这种技术能够一次蚀刻超过 300 层的 3D NAND，帮助他们提高生产效率并降低成本。AIP，也就是 All-in-Plug，能把 HARC 这种高纵横比接触刻工艺单次只能做 100 到 200 层深度通道的限制给打破。现在的高堆叠 3D NAND 之所以难搞，就是因为要把多个堆栈键合在一起，结果就是成本、效率和良率都受影响。这次 SK 海力士副总裁 Lee Sunghoon 给出了新的方案，AIP 允许他们一次性蚀刻 300 层以上，如果能投入实际使用，那就能大幅减少蚀刻次数，优化成本。李社长还提到他们正朝着把这个技术应用到下一代 V11 NAND 闪存的目标迈进。IT 之家消息也透露，SK 海力士在展示会上介绍了一些先进存储技术，其中就有 NAND 端的 AIP。其实做 3D NAND 闪存各层之间需要用细长垂直孔道连接，但现在的技术一次只能刻这么多。这个技术带来的好处就是能够一次蚀刻更多层数，从而优化整个生产流程和成本表现。还有就是减少了堆栈键合次数，提高了整体良率和生产效率。这次的SEMICON Korea 2026展会上 SK 海力士还给大家展示了一些革命性的东西。还有消息说这次韩国方面的一个展示让很多人都非常期待他们未来在 NAND 闪存上的突破。还有 IT 界的人也非常关注这个技术能给行业带来什么新变化。其实韩国方面这次展览也吸引了很多人关注他们在 AI 领域的最新动向。