全球内存芯片缺会拖到2030年dram、nand和hbm还会大涨

3月17日,英伟达GTC大会上,韩国SK集团董事长崔泰源直言,因为芯片生产有系统性瓶颈,全球内存芯片缺一直会拖到2030年,DRAM、NAND和HBM这类产品价格还会大涨。西南证券也提到,AI大模型迭代太快,Token消耗量暴涨,这给数据存储和处理带来了巨量需求。存储行业迎来了超级景气期,海外的大厂商把有限的产能给了高利润的HBM和DDR5产品,这就挤压了消费级和低端芯片的产能。加上上一轮行业产能和资本开支用得太猛,这次扩产动作都挺谨慎。高端HBM芯片需要长时间建设洁净室、爬坡难度大,短期供给还是偏紧。在这种需求爆发、供给又很刚性的情况下,CFM闪存市场预测,2026年存储价格整体还是会涨。他们认为,国内存储企业靠工程师多、基建好、产业链齐全的优势正快速崛起。长江存储、长鑫存储、兆易创新和江波龙这些本土企业搞自主架构创新和工艺升级,产能一直在扩张、良率稳步提高。它们在AI算力、消费电子和企业级市场都突破了瓶颈,正在把中国存储从量的增长带到技术引领上去。15日当天市场反应激烈,同有科技直接涨停了20%,佰维存储又创出了新高。截止发稿时看,同有科技已经封死20%的涨停板;朗科科技涨超16%,也是新高;深科达涨了15%多;诚邦股份和中电港也封了涨停;佰维存储盘中涨了近9%,把新高又刷新了。