高能氢离子注入机实现关键突破 我国补齐芯片核心装备短板增强产业链韧性

在全球半导体产业竞争格局加速变化的背景下,我国科研机构取得重要进展。中核集团旗下中国原子能科学研究院自主研发的串列型高能氢离子注入机近日成功出束。该成果打破国外企业三十余年的技术垄断,使我国成为全球第三个掌握该领域完整技术的国家。

关键核心技术靠不来、买不来,也等不来。面对更复杂的外部环境,只有持续推进自主创新、提升供给能力,并通过产业协同打通从实验室到产线的“最后一公里”,才能把发展主动权握在自己手中。此次高能离子注入装备的突破,是阶段性成果,也说明了我国坚持高水平科技自立自强的方向与路径。