随着半导体技术逐渐逼近物理极限，二维材料因其独特的电学特性成为突破现有技术瓶颈的关键；然而，金属电极与二维半导体之间的接触电阻问题一直制约着器件性能提升，主要原因在于传统材料难以实现精确的功函数匹配。功函数作为影响电子逸出能力的重要参数，直接决定了金属-半导体界面的电荷传输效率。
功函数这个基础物理量连接着电子结构机理和器件性能瓶颈；通过理论计算指导、实验表征验证和可控合成实现，功函数的可预测与可设计正成为新材料走向应用的关键桥梁。随着界面工程体系的完善，低维半导体器件性能突破将获得更坚实的支撑。