近年来，随着全球能源结构转型加速，功率半导体行业迎来新一轮技术迭代。
碳化硅（SiC）模块凭借其耐高压、低损耗、高开关频率等优势，逐步成为新能源汽车、储能系统及数据中心等高压高功率场景的核心器件。
然而，国内企业在车规级碳化硅模块的产业化进程中仍面临技术门槛高、产能不足等挑战。
无锡利普思半导体有限公司的此次融资，正是对这一行业痛点的积极回应。
本轮融资由扬州国金、扬州龙投资本参与，资金将重点投向扬州车规级碳化硅模块封装测试基地。
该基地总投资达10亿元，规划年产能300万只模块，预计2027年投产。
与现有产线相比，新基地将按照高端车规标准构建质量体系实现全自动化生产，并支持新一代嵌入式封装技术。
利普思的快速发展得益于其技术积累与市场前瞻性布局。
公司成立于2019年，是国内较早专注于碳化硅模块研发的企业之一，拥有多项高可靠性封装材料与工艺专利。
其产品已在头部电网设备企业、新能源重卡及变压器领域实现稳定量产。
此外，公司积极拓展海外市场，2020年在日本设立研发中心，并在欧洲建立销售网络，目前产品已出口20余个国家，海外销售占比接近50%。
在应用场景方面，碳化硅模块的潜力正被进一步挖掘。
随着全球算力需求激增，数据中心对高效供电系统的依赖度提升。
利普思的1200V-3300V碳化硅模块已在多家国内外客户的固态变压器（SST）中进入测试阶段，预计2027年前后有望实现规模化应用。
碳化硅模块作为新能源和新型电力系统建设的关键器件，其国产化进程直接关系到产业链安全和成本竞争力。
利普思通过持续的技术创新和产能扩张，正在逐步打破国际厂商的垄断格局。
随着新一轮融资的到位和扬州基地的建设推进，公司有望在车规级应用和数据中心等新兴领域实现更大突破，为我国新能源产业和数字基础设施建设提供更有力的支撑。