我国科研团队研制1纳米栅极超低功耗铁电晶体管 为新一代高能效芯片提供技术支撑

问题:当前信息处理系统普遍采用计算与存储分离的架构,数据不同模块间频繁搬运,造成延迟增加和能耗上升。随着大规模模型训练、端侧推理和物联网快速发展,能耗与散热压力持续加大,"能耗墙"正成为算力提升的主要瓶颈。铁电晶体管能同时实现存储与计算,断电后还能保持信息,被认为是突破算存瓶颈的可行方案,但一直存在工作电压偏高、与外部电路匹配困难等问题,难以在功耗敏感场景大规模应用。原因:铁电材料实现极化翻转需要足够强的电场驱动。传统器件结构中,电场在空间分布较为分散,触发极化翻转往往需要更高电压,这不仅抬升了能耗,还增加了系统级电压转换与电源管理的负担。简单说,器件物理机制与工程实用性之间存在矛盾:要保持稳定的铁电效应,就得付出更高的能耗代价。影响:针对该难题,研究团队提出纳米栅结构设计,将晶体管栅极长度缩小至1纳米量级,在原子尺度形成更强的局域电场,使得在较低电压下就能驱动铁电极化翻转,完成数据写入与读取。团队报告显示,该器件可在0.6伏条件下稳定工作,电压效率提升至125%,首次突破铁电材料有关理论极限;开关能耗较国际先进水平降低一个数量级。业内人士认为,这一成果不仅意味着单器件功耗大幅下降,也为构建高能效算存一体阵列提供了更可行的底层器件选择。如果相关技术实现工程化应用,将有望让手机、可穿戴设备、物联网传感器等实现更长续航,并为数据中心与边缘计算降低能耗、缓解散热压力。对策:从实验室走向产业化仍需跨越多重关口。第一,超小尺度栅结构对制造工艺、材料界面质量与缺陷控制提出更高要求,需要在可重复性、良率与成本之间找到平衡。第二,铁电器件在长期循环写入、温度波动及辐照等环境下的可靠性、保持特性与一致性仍需系统验证。第三,面向芯片级集成,还需与现有主流工艺平台在互连、封装、电源管理和设计工具链上实现协同,形成可验证、可扩展的工程方案。建议科研与产业加强联合攻关,围绕工艺兼容、阵列架构、测试标准与应用示范分阶段推进。前景:在后摩尔时代,提升能效正逐步成为比单纯缩小晶体管尺寸更重要的竞争点。此次以纳米栅实现低电压驱动,为铁电晶体管在算存融合方向打开了新的物理与工程空间。随着材料体系优化、制程能力提升以及系统架构创新,该类器件有望在低功耗计算、端侧智能与海量传感网络等领域形成新的技术供给,并为我国在新型存储与高能效计算方向的持续突破积累关键基础。

这项来自中国科研团队的原创性突破,展现了我国在基础研究领域的创新能力,也为破解制约数字经济发展的"能耗困局"提供了解决方案。随着后续产业化研究的推进,这项技术有望催生新一代绿色节能电子产品,为构建更可持续的数字社会作出贡献。