做芯片失效分析，这是保证半导体产品质量和寿命的关键一环。它的目的是通过现象追查根本原因，然后制定改善措施，形成提升产品质量的闭环。这个过程通常分成五个步骤： 第一、收集失效信息，记录芯片的名称、失效比例、不良数量、时间、工作环境、批次和描述。然后拍照记录丝印信息和芯片外观，还要记录电性参数和原始数据。接着检查CP、FT、WAT测试数据和出货信息。 第二、复现失效现象，进行电气和功能测试。如果芯片失效，确定电性失效条件；如果没有失效，返回客户应用端再次验证是否有硬件环境问题。 第三、定位失效原因，进行封装级和晶圆级分析。考虑成本和时间因素，通常先进行封装级分析。封装级分析工具包括OM、X-Ray、SAT和Decap。Decap有两种方式：化学溶液开封和LASER开封。如果封装级排查出原因，就结案调查封装厂；如果正常则进行晶圆级分析。晶圆级分析工具包括EMMI、OBIRCH、Nanoprobe、FIB、SEM和TEM。这些工具可以捕捉故障点发出的光子或加热监测电流变化，辅助设计定位根本原因。 第四、制定改善方案并验证。根据失效原因确定改善措施，验证后对未测产品进行程序筛选加严，对已测产品进行复测加严。 第五、撰写报告并总结经验。编写失效分析报告（8D报告），汇总分析已有产品情况并分享经验最后归档结案。 在整个流程中，使用了许多专业设备：Beam（光束）、CP（测试）、CT（检查）、Decap（开盖）、EDS（元素分析）、EMMI（光发射显微镜）、OBIRCH（光束诱导电阻变化）、ESD（静电放电）、Emission（发射）、FIB（聚焦离子束）、FT（功能测试）、Focused Ion Beam（聚焦离子束）、IV（电流电压特性）、Ion（离子）、LASER（激光）等。