打从去年10月拿了1亿美元融资，加州的Substrate就没打算给ASML活路。他们直接绕过了ASML走的13.5纳米路线，而是用粒子加速器把X射线波长降到了0.01到10纳米。这种光打出来的12纳米精度直逼High-NA EUV，更狠的是他们打算自建晶圆厂，把光刻机和代工打包成一条龙服务。而另一边的xLight也不甘示弱，为了给英特尔前CEO帕特·基辛格当老板的公司背书，他们的LPP光源决定在2028年直接塞进ASML的扫描仪里。为了拿下这一关键技术，美国商务部“芯片研发办公室”也给他们追加了至多1.5亿美元无约束意向金，加上今年4轮融资超额认购的4000万美元，总投入相当可观。ASML那边也没闲着，首席技术专家透露说他们已经看到了通往1500瓦的路。毕竟从原理上看，突破2000瓦也没有根本障碍。虽然现在的功率才1000瓦，但ASML把锡滴发生器的喷射速率翻了一倍，每秒能喷出10万滴熔融锡。为了点燃锡等离子体，他们用两束短脉冲激光代替了之前的单束激光。这种强光让腔室温度超过了太阳表面，最后由蔡司的光学系统把13.5纳米波长的EUV光收集起来导入光刻机。到了2030年底，每台设备每小时能处理的晶圆片数就能从220片涨到330片。ASML把EUV光源功率从600瓦推到了1000瓦这招够狠，意味着曝光时间变短了，成本也下来了。这就是为什么到2030年单台设备的产能会跃升这么多的原因。 英特尔前CEO帕特·基辛格的加盟和美国商务部的1.5亿美元意向金说明了资本对xLight的看好。虽然Substrate拿到了1亿美元融资也要自建晶圆厂一条龙服务，但眼下看来ASML在成熟节点和高产能这块仍然稳如泰山。真正的难题在于2028年之后该怎么打：如果xLight的LPP光源真的能塞进ASML的扫描仪里并且功率超过1000瓦；如果Substrate的X射线真的能做到12纳米精度还能打包代工一条龙；那么芯片制造的下一跳板或许就不只是升级光源那么简单了。当产能、成本和速度这三重指标同时被刷新时，这一轮比拼的或许就不是某一款光刻机有多厉害，而是整条技术路线谁能笑到最后。